在手機、路由器、機頂盒等 5~24 W 適配器市場,“省光耦+省 TL431” 幾乎成了 BOM 成本競賽的入場券。FT8395PB2 把 750 V 高壓 MOSFET、原邊恒壓/恒流(CV/CC)控制、準諧振(QR)+ PFM 抖頻 EMI 優(yōu)化全部塞進 8 個引腳,官方宣稱“外圍極簡”。
實際打樣 12 V-200 mA(2.4 W)適配器,外圍元件 < 20 顆,效率 > 82 %(230 VAC),待機功耗 < 30 mW,足夠覆蓋 90~264 V 全電壓輸入——這就是本文的主角。
引腳號 | 名稱 | 功能拆解 | 12 V/200 mA 設計要點 |
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1 | VCC | 芯片供電 | 10~27 V 啟動后由輔助繞組供電,推薦 22 μF/50 V 低 ESR 電解 |
2 | GND | 芯片地 | 單點接高壓地,走線粗短,遠離 FB 采樣路徑 |
3 | FB | 輸出電壓反饋 | 通過分壓電阻檢測輔助繞組電壓,R1/R2 比例決定 12 V 輸出;預留 100 pF 小電容做斜坡補償 |
4 | CS | 原邊電流采樣 | 0.5 Ω 金屬膜電阻,峰值電流限制 ≈ 0.5 V / 0.5 Ω = 1 A,兼顧 200 mA 輸出與短路保護 |
5~6 | HV | 內(nèi)部 750 V MOSFET 漏極 | 直接接變壓器原邊,注意爬電距離 ≥ 6 mm;RCD 吸收回路靠近 HV 引腳 |
7~8 | NC/散熱焊盤 | 機械固定 | 大面積敷銅散熱,底部開窗過孔至內(nèi)層地 |
小貼士:FT8395PB2 把高壓 MOS 集成在 5-6 腳,PCB 布線時務必讓 HV 銅箔“短粗直”,否則 EMI 與浪涌測試會哭。
典型功率表如下所示:
型號 | 封裝 | 90~264 VAC | 30 Vac±15 % |
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FT8395PB2 | SOP-8 | 24 W | 30 W |
12 V-200 mA 只有 2.4 W,看似“大馬拉小車”,但好處多多:
預留 10 倍余量,變壓器溫升 < 25 K,無需灌膠。
效率曲線在 10 %~100 % 負載幾乎平直,輕載待機功耗輕松過 CoC V5 Tier 2。
高壓 MOS 導通電阻 5 Ω(典型),2.4 W 輸出時導通損耗 < 0.1 W,芯片表面溫升 < 30 °C(45 °C 環(huán)溫,自然對流)。
功能 | 推薦值 | 備注 |
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變壓器 | EE13/EE16 | 原邊 220 μH,輔助 12 V 繞組 11T,漏感 < 5 % |
RCD 吸收 | R=100 kΩ, C=100 pF/1 kV, D=UF4007 | 鉗位電壓 < 650 V,保護 HV 引腳 |
VCC 濾波 | 22 μF/50 V + 100 nF/50 V | 啟動后 12 V 輔助繞組供電 |
輸出整流 | 同步整流 FT8374x(官方推薦) | 效率提升 3~5 %,溫升再降 10 °C |
輸出濾波 | 470 μF/16 V ×2 | 紋波 < 50 mVpp,滿足 USB 供電要求 |
FB 分壓 | R1=100 kΩ, R2=7.5 kΩ | 12 V 輸出時 FB ≈ 1.25 V(內(nèi)部基準) |
檢查輔助繞組與輸出繞組耦合,漏感尖峰導致 FB 采樣提前;在輔助繞組并聯(lián) 5 kΩ 假負載即可。
PFM 抖頻模式下,磁芯機械共振;換 EE16 或浸漆變壓器,或在輸出端加 2 mA 假負載。
HV 引腳到地距離 < 6 mm,把 RCD 吸收的地單獨走線,避免與 FB 采樣地共線。
FT8395PB2 用“一顆 SOP-8 + 極簡外圍”詮釋了原邊反饋的極致:
省掉光耦、TL431、次級恒流檢測;
集成 750 V MOSFET,直接驅(qū)動 12 V/200 mA;
QR+PFM+抖頻,EMI 一腳踢;
5 重保護(OCP/OTP/OLP/VCC OVP/輸出短路),量產(chǎn)不翻車。
如果你下個項目需要 5~24 W 小功率適配器,又不想在 BOM 上“卷”到懷疑人生,F(xiàn)T8395PB2 值得一試。